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SUP57N20-33中文资料

SUP57N20-33图片

SUP57N20-33外观图

  • 大小:48.75KB
  • 厂家:VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述:N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:200 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:57 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):33 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220AB-3
  • 封装:Tube
  • 下降时间:200 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:3.75 W
  • 上升时间:220 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 典型关闭延迟时间:45 ns

SUP57N20-33供应商

更新时间:2023-01-15 22:47:36
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