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SUP57N20-33中文资料

SUP57N20-33图片

SUP57N20-33外观图

  • 大小：48.75KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：57 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：33 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB-3
  • 封装：Tube
  • 下降时间：200 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.75 W
  • 上升时间：220 ns
  • 工厂包装数量：500
  • 典型关闭延迟时间：45 ns

SUP57N20-33供应商

更新时间:2023-01-15 22:47:36
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